一種黑磷單晶片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010189798.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113493929A 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN113493929A 申請公布日 2021-10-12
分類號 C30B29/02（2006.01）I;C30B25/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 喻學鋒;喻彬璐;王佳宏 申請（專利權(quán)）人 深圳市中科墨磷科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 518111廣東省深圳市龍崗區(qū)平湖街道富康路6號寶能智創(chuàng)谷B棟6層602-4
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種黑磷單晶片的制備方法，該方法涉及大尺寸二維單晶材料生長方面。制備方法是將磷源、催化劑按照一定質(zhì)量比例加入密封反應器中，再進行燒結(jié)，最終得到大尺寸黑磷單晶片。本方法獲得的黑磷單晶片水平尺寸可達厘米級，片狀結(jié)構(gòu)完整性高，且成功實現(xiàn)單晶片之間分散成核生長，不互相粘連，能夠獲得高質(zhì)量無損單晶黑磷單晶片，有利于下游應用。