一種生長大尺寸碳化硅單晶的熱場結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721400309.5 申請日 -
公開（公告）號 CN207435586U 公開（公告）日 2018-06-01
申請公布號 CN207435586U 申請公布日 2018-06-01
分類號 C30B29/36;C30B35/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 左洪波;楊鑫宏;李鐵;袁帥 申請（專利權(quán)）人 龍江銀行股份有限公司哈爾濱開發(fā)區(qū)支行
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)西大直街357號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種生長大尺寸碳化硅單晶的熱場結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)整體由坩堝、坩堝蓋、籽晶桿、上部保溫層結(jié)構(gòu)、下部保溫層結(jié)構(gòu)、側(cè)面保溫層結(jié)構(gòu)以及感應(yīng)線圈組成。坩堝分為筒狀無底結(jié)構(gòu)和坩堝托兩個部分，筒狀無底結(jié)構(gòu)放置于坩堝托上部，筒狀無底結(jié)構(gòu)為高純石墨材料，坩堝托為耐高溫絕緣材料；籽晶桿下端為籽晶托盤結(jié)構(gòu)，可隨升華過程中固體原料高度的降低而移動；側(cè)面保溫層結(jié)構(gòu)外部的感應(yīng)線圈結(jié)構(gòu)可由上向下移動，以便保證晶體的生長界面與原料之間的合理間距。本實用新型熱場結(jié)構(gòu)降低了晶體開裂的幾率，同時有效降低晶體內(nèi)部的微管、應(yīng)力等缺陷，實現(xiàn)大尺寸、半絕緣的碳化硅單晶的生長。