具有超級結(jié)結(jié)構(gòu)的溝槽柵場效應晶體管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811136100.1 申請日 -
公開（公告）號 CN109346523A 公開（公告）日 2019-02-15
申請公布號 CN109346523A 申請公布日 2019-02-15
分類號 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張帥;黃昕 申請（專利權(quán)）人 廣州安海半導體股份有限公司
代理機構(gòu) 上海大視知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 張帥;黃昕;濟南安海半導體有限公司
地址 200233 上海市徐匯區(qū)桂平路88弄7號302室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種具有超級結(jié)結(jié)構(gòu)的溝槽柵場效應晶體管及其制造方法，屬于半導體技術(shù)領域。本發(fā)明的具有超級結(jié)結(jié)構(gòu)的溝槽柵場效應晶體管，其具有二氧化硅深槽，且該深槽周圍具有P型層與N型外延，從而與現(xiàn)有的超結(jié)結(jié)構(gòu)MOSFET相比，其導通電阻更小，同時由于柵極與漏極的接觸面積更小，而且有二氧化硅深槽隔離，所以柵漏電容更小，開關(guān)速度更快，進而進一步提升了器件整體性能，且本發(fā)明的具有超級結(jié)結(jié)構(gòu)的溝槽柵場效應晶體管其結(jié)構(gòu)簡單，生成制造方法簡便，生產(chǎn)及應用成本也相對低廉。