一種聚酰亞胺基耐高溫電磁屏蔽薄膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111439607.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113968987A 公開（公告）日 2022-01-25
申請公布號 CN113968987A 申請公布日 2022-01-25
分類號 C08J5/18（2006.01）I;C08L79/08（2006.01）I;C08K9/04（2006.01）I;C08K3/22（2006.01）I;H05K9/00（2006.01）I 分類 有機高分子化合物；其制備或化學(xué)加工；以其為基料的組合物;
發(fā)明人 馬紀(jì)翔;姬亞寧;青雙桂;劉姣;蔣耿杰 申請（專利權(quán)）人 桂林電器科學(xué)研究院有限公司
代理機構(gòu) 桂林市持衡專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 唐智芳
地址 541004廣西壯族自治區(qū)桂林市七星區(qū)東城路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種聚酰亞胺基耐高溫電磁屏蔽薄膜及其制備方法，屬于聚酰亞胺材料技術(shù)領(lǐng)域。所述的制備方法包括：向聚酰胺酸樹脂溶液中加入金屬氧化物分散液，混合均勻，所得混合樹脂溶液采用熱亞胺化法制備而得；其中：金屬氧化物分散液是以鈦酸丁酯為改性劑，在極性非質(zhì)子溶劑中在水和冰乙酸存在的條件下對金屬氧化物進行改性而得；所述金屬氧化物為選自ATO、ITO、FTO、IZO和IGZO中的一種或兩種以上的組合。本發(fā)明所述方法制備得到的薄膜在具有良好電磁屏蔽效能的同時還具有良好的透光率和更高的耐熱性，滿足光通信的使用要求。