本征型低介質(zhì)損耗因數(shù)聚酰亞胺薄膜及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011361830.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112480405B 公開(kāi)（公告）日 2021-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN112480405B 申請(qǐng)公布日 2021-10-12
分類號(hào) C08G73/10（2006.01）I;C08J5/18（2006.01）I;C08L79/08（2006.01）N 分類 有機(jī)高分子化合物；其制備或化學(xué)加工；以其為基料的組合物;
發(fā)明人 姬亞寧;青雙桂;易春晴;蔣耿杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 桂林電器科學(xué)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 桂林市持衡專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 唐智芳
地址 541004廣西壯族自治區(qū)桂林市七星區(qū)東城路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種本征型低介質(zhì)損耗因數(shù)聚酰亞胺薄膜及其制備方法，屬于聚酰亞胺材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述聚酰亞胺薄膜在組成上含有占比為5～30mol％的式（I）表示的重復(fù)單元及余量的低極性聚酰亞胺聚合物，其中雙酯鍵單體TAHQ的使用有效降低聚酰亞胺體系的介質(zhì)損耗因數(shù)，而采用式（I）所示結(jié)構(gòu)的聚合物與低極性聚酰亞胺聚合物通過(guò)嵌段聚合而成的聚酰亞胺薄膜無(wú)需涂覆熱塑性層即可滿足行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)剝離強(qiáng)度的要求，且介電損耗因數(shù)≤0.006、介電常數(shù)≤3.0（10GHz），滿足高頻條件下的信號(hào)傳輸要求。其中，所述式（I）表示的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)如下：3式（I）中，X為CH3或CF，n為大于或等于1的整數(shù)。