一種生長晶體材料時的溫度引導裝置及其方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201210049146.6 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN103290485B | 公開(公告)日 | 2017-03-22 |
| 申請公布號 | CN103290485B | 申請公布日 | 2017-03-22 |
| 分類號 | C30B35/00(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 劉朝軒 | 申請(專利權)人 | 鑫融基投資擔保有限公司 |
| 代理機構 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 471009 河南省洛陽市國家高新技術開發(fā)區(qū)金鑫路2號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 一種生長晶體材料時的溫度引導裝置及其方法,涉及一種晶體材料生長設備的輔助溫控裝置,在爐室(21)內(nèi)坩堝(6)的上端設有上蓋(23),上蓋的下部與坩堝的上端之間設有導熱通路;所述發(fā)熱體(22)分別連接電源的正負極,發(fā)熱體對坩堝輻射加熱,同步也對坩堝上部的晶體材料(7)加熱,同時由上蓋的上蓋外沿(2)形成發(fā)熱體上端熱能向坩堝的上部聚攏,由坩堝與上蓋之間的導熱通路引導熱能向坩堝內(nèi)晶體材料上部的加熱,坩堝內(nèi)晶體材料上部的溫度獲取高于坩堝內(nèi)下部的晶體材料溫度;本發(fā)明由上蓋形成發(fā)熱體熱能向坩堝內(nèi)晶體材料的上部聚攏,使上部的晶體材料獲取較快的溫度上升,實現(xiàn)了溫度引導和最大化利用熱能的目的。 |





