一種藍(lán)寶石晶片的熔接方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410194227.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN103993359B | 公開(公告)日 | 2017-01-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN103993359B | 申請(qǐng)公布日 | 2017-01-04 |
| 分類號(hào) | C30B33/06(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 劉朝軒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 鑫融基投資擔(dān)保有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 471000 河南省洛陽(yáng)市高新開發(fā)區(qū)金鑫路2號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 一種藍(lán)寶石晶片的熔接方法,涉及藍(lán)寶石技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明通過采用具有溫度梯度的加熱器在氣體保護(hù)環(huán)境下對(duì)藍(lán)寶石晶片(3)的對(duì)接面進(jìn)行加熱,待藍(lán)寶石晶片的對(duì)接面融化后,降低加熱器的加熱溫度,進(jìn)而使藍(lán)寶石晶片的對(duì)接面從兩端向中間重新結(jié)晶并使熔接的藍(lán)寶石晶片形成一個(gè)完整的單晶體,使藍(lán)寶石晶片接口處的抗沖擊強(qiáng)度與藍(lán)寶石晶片的抗沖擊強(qiáng)度保持一致,大大拓寬了藍(lán)寶石晶片的應(yīng)用領(lǐng)域等。 |





