一種提高射頻電感品質(zhì)因數(shù)的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210121684.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN114447224A 公開(kāi)(公告)日 2022-05-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN114447224A 申請(qǐng)公布日 2022-05-06
分類號(hào) H01L49/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 謝旭平;盧煜旻;朱欣恩 申請(qǐng)(專利權(quán))人 上海矽杰微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 程開(kāi)生
地址 201800上海市嘉定區(qū)葉城路1288號(hào)6幢J461室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種提高射頻電感品質(zhì)因數(shù)的方法,包括步驟S1:根據(jù)硅襯底工藝從而選定襯底層;步驟S2:在襯底層的一側(cè)設(shè)置金屬層,并且根據(jù)需求設(shè)置金屬層中的金屬結(jié)構(gòu)的材質(zhì)、金屬結(jié)構(gòu)的數(shù)量和介質(zhì)結(jié)構(gòu)的材質(zhì)。本發(fā)明公開(kāi)的一種提高射頻電感品質(zhì)因數(shù)的方法,其通過(guò)金屬層和襯底層進(jìn)行設(shè)置,并且根據(jù)需求設(shè)定金屬層的材質(zhì)和數(shù)量以及設(shè)定襯底層的厚度,以減薄襯底層的厚度從而提高片上射頻電感Q值。