一種集成于片上系統(tǒng)的CMOS 射頻功率放大器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310724049.7 申請日 -
公開（公告）號 CN103762948B 公開（公告）日 2016-09-28
申請公布號 CN103762948B 申請公布日 2016-09-28
分類號 H03F1/30(2006.01)I;H03F1/02(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I;H03F3/20(2006.01)I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 黃志忠;衛(wèi)秦嘯;蘇杰 申請（專利權）人 國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司
代理機構 上海光華專利事務所 代理人 李儀萍
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)松濤路560號張江大廈20A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種集成于片上系統(tǒng)的CMOS射頻功率放大器，所述功率放大器集成于片上系統(tǒng)SOC中，實現(xiàn)輸出信號功率放大的功能；所述功率放大器包括偏置電路、第一級放大電路、第二級放大電路及輸出匹配電路。本發(fā)明的功率放大器采用CMOS工藝實現(xiàn)，很好地集成到SOC芯片中，因此能夠單芯片實現(xiàn)功率控制和脈寬調(diào)制（PWM）；與以往分立元件或者III?V族化合物半導體實現(xiàn)的功率放大器相比，本發(fā)明的功率放大器具有雙重功率可調(diào)，不需要單獨的外部控制芯片，大大節(jié)省了應用系統(tǒng)的成本，更方便了系統(tǒng)的調(diào)試；并且本發(fā)明的功率放大器具有多頻段輸出功率可調(diào)，可以廣泛運用在從10MHz到1GHz范圍內(nèi)的多種應用中。