一種H型與類H型超高頻射頻標(biāo)簽

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120350379.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN214846781U 公開(kāi)（公告）日 2021-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN214846781U 申請(qǐng)公布日 2021-11-23
分類號(hào) G06K19/077（2006.01）I 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 田川;尹祖?zhèn)?李鑫 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京宏誠(chéng)創(chuàng)新科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京瑞盛銘杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李績(jī)
地址 101111北京市通州區(qū)嘉創(chuàng)路10號(hào)院5號(hào)樓3層3-01
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提出了一種H型與類H型超高頻射頻標(biāo)簽，包括：載體、第一組件、多個(gè)第二組件和芯片，其中，所述第一組件形成在所述載體上，所述第一組件形成具有電接點(diǎn)的內(nèi)場(chǎng)循環(huán)，以實(shí)現(xiàn)近場(chǎng)通訊；每個(gè)所述第二組件分別以預(yù)設(shè)夾角向外延伸形成在所述內(nèi)場(chǎng)循環(huán)的兩側(cè)邊緣上，每個(gè)所述第二組件形成第一外場(chǎng)循環(huán)和第二外場(chǎng)循環(huán)，以形成遠(yuǎn)場(chǎng)通訊，其中，所述第一外場(chǎng)循環(huán)和所述第二外場(chǎng)循環(huán)相連接；所述芯片與所述電接點(diǎn)連接以傳送電信號(hào)；其中，所述電信號(hào)通過(guò)所述內(nèi)場(chǎng)循環(huán)和所述第一外場(chǎng)循環(huán)進(jìn)行傳遞。