鑄錠爐、鑄錠晶體硅及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110203351.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114045553A 公開（公告）日 2022-02-15
申請公布號 CN114045553A 申請公布日 2022-02-15
分類號 C30B11/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 羅鴻志;何亮;張細(xì)根;李建敏;程小娟;鄒貴付;張發(fā)年;饒森林;甘勝泉 申請（專利權(quán)）人 賽維LDK太陽能高科技（新余）有限公司
代理機構(gòu) 南昌逸辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉陽陽
地址 338000江西省新余市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鑄錠爐、鑄錠晶體硅及其制備方法，鑄錠爐包括爐體頂部，中部和底部，爐體內(nèi)部為爐腔，爐腔內(nèi)設(shè)有隔熱籠，隔熱籠內(nèi)設(shè)有保溫組件，保溫組件由護(hù)板和底板形成一個容納空間承載坩堝，保溫組件還包括封蓋在坩堝上的蓋板，其中，爐體中部開設(shè)有第一排氣口，第一排氣管路適于與第一排氣口連通，通往爐腔與隔熱籠形成的第一空間內(nèi)；爐體頂部或爐體底部開設(shè)有第二排氣口，第二排氣管路適于與第二排氣口連通，通往爐腔與隔熱籠形成的第二空間內(nèi)；排氣管路外部連接真空裝置，第二排氣管路與第一排氣管路外部連通；第一排氣管路上設(shè)有第一閥門，單獨控制第一排氣口的排氣比例；第二排氣管路上設(shè)有第二閥門，單獨控制第二排氣口的排氣比例。