一種多能量耦合等離子體化學氣相沉積法制備金剛石的方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202110574739.3 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN113025990A | 公開(公告)日 | 2021-08-27 |
| 申請公布號 | CN113025990A | 申請公布日 | 2021-08-27 |
| 分類號 | C23C16/27;C23C16/517;C23C16/52 | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 王濤;魏遠征;張雪梅;王簫;徐念;胡常青;趙建海 | 申請(專利權)人 | 蘇州香榭軒表面工程技術咨詢有限公司 |
| 代理機構 | 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 | 代理人 | 汪青;周敏 |
| 地址 | 215100 江蘇省蘇州市吳中區(qū)郭巷街道尹豐路39號1幢4層408室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種多能量耦合等離子體化學氣相沉積法制備金剛石的方法,所述等離子體化學氣相沉積法采用熱絲、脈沖偏壓電源和旋轉磁場耦合作為復合能量源,熱絲用于激發(fā)含碳氣體產(chǎn)生初級等離子體,脈沖偏壓用于對熱絲產(chǎn)生的初級等離子體施加電場,使初級等離子體在電場的耦合作用下拉伸并形成覆蓋區(qū)域更廣的二級等離子體,旋轉磁場作用于金剛石沉積基片的表面區(qū)域,將所述二級等離子體中的粒子能量進一步均化耦合,并提高等離子體中能夠形成SP3的碳結構的粒子比例。本發(fā)明方法不僅能夠穩(wěn)定獲得高質量的金剛石,而且對于沉積條件及工藝參數(shù)的控制要求相對較低,方法易于控制,調控寬容度高、適用面廣,特別適于金剛石的工業(yè)化生產(chǎn)。 |





