一種延續(xù)單一生長(zhǎng)中心制備碳化硅單晶的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910900730.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110670123B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110670123B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-26 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 張福生;楊昆;劉新輝;牛曉龍;路亞娟;尚遠(yuǎn)航;李永超 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 河北同光半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京盛詢(xún)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 張海青 |
| 地址 | 071000 河北省保定市北三環(huán)6001號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種延續(xù)單一生長(zhǎng)中心制備碳化硅單晶的方法，屬于晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域。本發(fā)明通過(guò)選擇具有單一生長(zhǎng)中心的碳化硅單晶生長(zhǎng)前沿作為下次生長(zhǎng)的籽晶，可以有效地避免生長(zhǎng)初期出現(xiàn)的多核生長(zhǎng)現(xiàn)象，經(jīng)過(guò)多次延續(xù)單一生長(zhǎng)中心后，碳化硅單晶中的成對(duì)反向螺位錯(cuò)會(huì)發(fā)生聚并湮滅，從而可以降低單晶中的內(nèi)部缺陷密度。通過(guò)本發(fā)明方法，能夠獲得質(zhì)量越來(lái)越好的低缺陷密度碳化硅晶體。本發(fā)明制備的碳化硅單晶可以更好地應(yīng)用在航天、航空、航母等國(guó)防軍工領(lǐng)域，也可廣泛地應(yīng)用在工業(yè)自動(dòng)化、新能源汽車(chē)、家電、5G通訊等民用領(lǐng)域。?? |
