一種微納晶體管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201820534140.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN208208766U 公開（公告）日 2018-12-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN208208766U 申請(qǐng)公布日 2018-12-07
分類號(hào) H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任遠(yuǎn);陳志濤;劉曉燕;潘章旭;李葉林;龔政;張佰君 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東能芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院;廣東能芯半導(dǎo)體科技有限公司
地址 510000 廣東省廣州市天河區(qū)長(zhǎng)興路363號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型實(shí)施例提出一種微納晶體管，涉及微納晶體管技術(shù)領(lǐng)域。所述微納晶體管包括襯底、緩沖層、外延層、勢(shì)壘層、柵極介質(zhì)層、柵極金屬層、源極金屬層以及漏極金屬層，所述緩沖層鋪設(shè)于所述襯底，所述外延層的端部與所述緩沖層面連接，所述勢(shì)壘層鋪設(shè)與所述外延層上，所述柵極介質(zhì)層鋪設(shè)于所述勢(shì)壘層上，所述柵極金屬層鋪設(shè)于所述柵極介質(zhì)層上，所述源極金屬層與所述漏極金屬層分別鋪設(shè)于所述勢(shì)壘層的靠近兩端的位置，且制作所述緩沖層與所述外延層的材料相同。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的微納晶體管具有減小了晶格失配與熱失配的優(yōu)點(diǎn)。