具有過渡層的晶硅及硅薄膜復合型單結PIN太陽能電池及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410704767.2 申請日 -
公開（公告）號 CN104576801B 公開（公告）日 2017-09-01
申請公布號 CN104576801B 申請公布日 2017-09-01
分類號 H01L31/075(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何湘衡;李廷凱 申請（專利權）人 湖南共創(chuàng)光伏科技有限公司
代理機構 長沙正奇專利事務所有限責任公司 代理人 馬強;劉佳芳
地址 421001 湖南省衡陽市雁峰區(qū)白沙洲工業(yè)園區(qū)鴻園路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種具有過渡層的晶硅及硅薄膜復合型單結PIN太陽能電池及其制備方法。所述太陽能電池在n型硅晶片的前表面或者在n型硅晶片的背表面或者在n型硅晶片的前表面和背表面同時設有過渡層；所述過渡層為一層或者多層，其中任意一層均為富硅氧化硅層。所述制備方法在硅片完成制絨、拋光和清洗后，加入了前氫化干燥處理，同時，在完成此過渡層的工藝后，加入了后氫化處理方式，兩種方法用于改善界面質量和結構的穩(wěn)定性。采用這種過渡層并采用了前氫化干燥處理和后氫化處理過的具有過渡層的晶硅薄膜復合型電池，可以在原來的基礎上將電池轉換效率提高10％以上。