反偏型硅發(fā)光SOI光電隔離器、其集成電路及制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910823544.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110491967B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110491967B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-02 |
| 分類號(hào) | H01L31/173(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃磊;孫宏亮;徐開(kāi)凱;趙建明;施寶球;范洋;洪繼霖;錢(qián)津超;李建全;曾尚文;李洪貞;廖楠;徐銀森;黃平;劉繼芝;陳勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廣東成利泰科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 石家莊科誠(chéng)專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉蘭芳 |
| 地址 | 611731四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種反偏型硅發(fā)光SOI光電隔離器，包括作為襯底硅的第一襯底、作為SiO2中間層的第一介質(zhì)層和頂層硅，第一襯底與頂層硅通過(guò)智能剝離技術(shù)鍵合；反偏型硅發(fā)光SOI光電隔離器包括制作在第一襯底中的硅光探測(cè)器、第一介質(zhì)層以及制作在頂層硅中的硅光源。本發(fā)明還公開(kāi)了上述光電隔離器的制作方法，并進(jìn)一步公開(kāi)了上述反偏型硅發(fā)光SOI光電隔離器的集成電路及其制作方法。本發(fā)明提供了硅光源與硅光探測(cè)器軸向排布，面積小、制造成本低，具有較高的光傳輸效率和集成度；本發(fā)明的光電隔離器可以與電路集成在同一個(gè)襯底上，硅光源與硅光探測(cè)器軸向堆疊，進(jìn)一步降低了制造成本，具有較高的集成度，適用于光電隔離器的集成技術(shù)領(lǐng)域。?? |
