一種改善型三結(jié)砷化鎵太陽電池及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111243885.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113690335B 公開（公告）日 2022-03-08
申請公布號 CN113690335B 申請公布日 2022-03-08
分類號 H01L31/078（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐培強;李俊承;寧如光;林曉珊;潘彬;王向武 申請（專利權(quán)）人 南昌凱迅光電股份有限公司
代理機構(gòu) 南昌金軒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 石紅麗
地址 330000 江西省南昌市臨空經(jīng)濟區(qū)黃堂西街199號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及砷化鎵太陽電池結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種改善型三結(jié)砷化鎵太陽電池及其制作方法，該太陽電池自下向上依次為Ge襯底、Ge底電池、GaAs緩沖層、第一隧穿結(jié)、DBR、InGaAs中電池、第二隧穿結(jié)、GaInP頂電池；其中，所述第一隧穿結(jié)和所述第二隧穿結(jié)結(jié)構(gòu)相同，為AlGaInP/InP/AlGaAsP/AlGaInP多異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明制作的太陽電池，其隧穿結(jié)采用多異質(zhì)結(jié)隧穿結(jié)，可明顯提高隧穿電流，降低隧穿結(jié)處的壓降，同時增強隧穿結(jié)的輻照性能，改善產(chǎn)品的可靠性。