一種改善型三結(jié)砷化鎵太陽電池及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111243885.4 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113690335A 公開（公告）日 2021-11-23
申請公布號(hào) CN113690335A 申請公布日 2021-11-23
分類號(hào) H01L31/078;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐培強(qiáng);李俊承;寧如光;林曉珊;潘彬;王向武 申請（專利權(quán)）人 南昌凱迅光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南昌金軒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 桑耀
地址 330000 江西省南昌市臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)黃堂西街199號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及砷化鎵太陽電池結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種改善型三結(jié)砷化鎵太陽電池及其制作方法，該太陽電池自下向上依次為Ge襯底、Ge底電池、GaAs緩沖層、第一隧穿結(jié)、DBR、InGaAs中電池、第二隧穿結(jié)、GaInP頂電池；其中，所述第一隧穿結(jié)和所述第二隧穿結(jié)結(jié)構(gòu)相同，為AlGaInP/InP/AlGaAsP/AlGaInP多異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明制作的太陽電池，其隧穿結(jié)采用多異質(zhì)結(jié)隧穿結(jié)，可明顯提高隧穿電流，降低隧穿結(jié)處的壓降，同時(shí)增強(qiáng)隧穿結(jié)的輻照性能，改善產(chǎn)品的可靠性。