一種抗輻照高效砷化鎵太陽(yáng)電池的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110438714.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112864282B 公開（公告）日 2021-11-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN112864282B 申請(qǐng)公布日 2021-11-05
分類號(hào) H01L31/18（2006.01）I;H01L31/054（2014.01）I;H01L31/0304（2006.01）I;H01L31/041（2014.01）I;H01L31/078（2012.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐培強(qiáng);王克來(lái);寧如光;林曉珊;潘彬;王向武 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南昌凱迅光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南昌金軒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李楠
地址 330000 江西省南昌市臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)黃堂西街199號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種抗輻照高效砷化鎵太陽(yáng)電池的制備方法，屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域。一種抗輻照高效砷化鎵太陽(yáng)電池的制備方法，該太陽(yáng)電池自下向上依次為Ge襯底、底電池、緩沖層、中底隧穿結(jié)、多反射中心布拉格反射鏡、中電池、中頂隧穿結(jié)、頂電池和蓋帽層，其中，多反射中心布拉格反射鏡，反射鏡由n組交替生長(zhǎng)的AlGaInP層和GaInP層組成，通過(guò)設(shè)計(jì)一種新型光譜反射結(jié)構(gòu)，在保證電池結(jié)構(gòu)對(duì)入射光足夠吸收的情況下，減薄電池區(qū)厚度，降低載流子復(fù)合幾率，提高太陽(yáng)電池的開路電壓及抗輻照性能。