一種正向四結(jié)砷化鎵太陽電池及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111155240.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113594285B 公開（公告）日 2021-12-21
申請公布號 CN113594285B 申請公布日 2021-12-21
分類號 H01L31/0687（2012.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐培強(qiáng);李俊承;寧如光;熊珊;潘彬;王向武 申請（專利權(quán)）人 南昌凱迅光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南昌金軒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 桑耀
地址 330000 江西省南昌市臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)黃堂西街199號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種正向四結(jié)砷化鎵太陽電池及其制作方法，該太陽電池自下向上依次為Ge襯底、Ge底電池、GaAs緩沖層、第一隧穿結(jié)、InyAlGaAs緩沖層、第一組DBR、第一子電池、第二隧穿結(jié)、第二組DBR、第二子電池、第三隧穿結(jié)、AlGaInP頂電池；所述第一子電池由InxAlGaAs背電場，InxGaAs基區(qū)，分段式量子點(diǎn)InxGaAs發(fā)射區(qū)及第一AlInP或GaInP窗口層組成；所述第二子電池由InxAlGaAs背電場，InxAlGaAs基區(qū)，分段式量子點(diǎn)InxAlGaAs發(fā)射區(qū)及第二AlInP或GaInP窗口層組成；所述AlGaInP頂電池由AlGaInP背電場、GaInP基區(qū)、GaInP發(fā)射區(qū)及IZO窗口層組成。本發(fā)明制作的正向四結(jié)砷化鎵太陽電池，電流密度得到大幅提升，光電轉(zhuǎn)換率高、穩(wěn)定性好。