一種三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110358726.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112736157B 公開（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN112736157B 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類號(hào) H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐培強(qiáng);王克來(lái);寧如光;林曉珊;潘彬;王向武;張銀橋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南昌凱迅光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南昌金軒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張震東
地址 330000 江西省南昌市臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)黃堂西街199號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池及其制備方法，屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的一種三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池，包括：Ge襯底；于所述Ge襯底上由下至上依次外延生長(zhǎng)的底電池、GaAs緩沖層、中底隧穿結(jié)、AlInP緩沖層、InAlGaAs緩沖層、DBR、中電池、中頂隧穿結(jié)、頂電池以及蓋帽層；其中，所述AlInP緩沖層具有一粗糙面，所述粗糙面設(shè)置于靠近所述InAlGaAs緩沖層的一側(cè)，所述粗糙面由若干個(gè)金字塔形凸起均勻分布形成。本發(fā)明設(shè)計(jì)可以直接將材料的晶格常數(shù)過渡到目標(biāo)值，降低生長(zhǎng)時(shí)間，消除應(yīng)力，獲得高質(zhì)量、平整的外延片。適合用于禁帶匹配，晶格失配的三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)電池。