一種晶閘管芯片結(jié)終端結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201920255980.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN209766423U | 公開（公告）日 | 2019-12-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN209766423U | 申請(qǐng)公布日 | 2019-12-10 |
| 分類號(hào) | H01L29/06（2006.01）; H01L21/336（2006.01）; H01L29/745（2006.01） | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王民安; 馬霖; 王日新; 鄭春鳴; 全美淑; 謝富強(qiáng); 王志亮; 董蕊; 岳春艷; 戴永霞; 倪小蘭; 汪杏娟; 胡麗娟; 黃永輝; 項(xiàng)建輝; 陳明; 曹紅軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 黃山芯微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蕪湖眾匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 安徽省祁門縣黃山電器有限責(zé)任公司 |
| 地址 | 245600 安徽省黃山市祁門縣新興路449號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種晶閘管芯片結(jié)終端結(jié)構(gòu)，包括長(zhǎng)基區(qū)N，陽極區(qū)P1、短基區(qū)P2，設(shè)置在P2上的陰極區(qū)N+、短路點(diǎn)和門極控制區(qū)，P2層上的負(fù)斜角，在長(zhǎng)基區(qū)N上局部設(shè)有擴(kuò)散形成的P型凸臺(tái)，該P(yáng)型凸臺(tái)與短基區(qū)P1連通成一體，所述P型凸臺(tái)位于電壓槽的下方且電壓槽的底部處在P型凸臺(tái)上。所述電壓槽位于晶閘管芯片的四周且為單邊槽結(jié)構(gòu)，所述晶閘管芯片的四周設(shè)置有一圈P型凸臺(tái)。本實(shí)用新型晶閘管結(jié)構(gòu)，具有機(jī)械強(qiáng)度好，且不容易崩邊，能夠有效提高產(chǎn)品合格率和電特性?？蓮V泛應(yīng)用于晶閘管芯片領(lǐng)域。 |
