整流二極管芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201920259427.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN209896070U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-01-03 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN209896070U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-01-03 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/861（2006.01）; H01L29/06（2006.01） | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王民安; 馬霖; 王日新; 鄭春鳴; 全美淑; 謝富強(qiáng); 王志亮; 董蕊; 岳春艷; 戴永霞; 倪小蘭; 汪杏娟; 胡麗娟; 黃永輝; 項(xiàng)建輝; 陳明; 曹紅軍 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 黃山芯微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蕪湖眾匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 安徽省祁門(mén)縣黃山電器有限責(zé)任公司 |
| 地址 | 245600 安徽省黃山市祁門(mén)縣新興路449號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種整流二極管芯片，包括長(zhǎng)基區(qū)N，設(shè)置在長(zhǎng)基區(qū)N上表面的摻濃磷擴(kuò)散層N+，設(shè)置在長(zhǎng)基區(qū)N下表面的陽(yáng)極區(qū)P，還設(shè)置有電壓槽，所述電壓槽從摻濃磷擴(kuò)散層N+的上表面向下延伸；其特征在于：在長(zhǎng)基區(qū)N上局部設(shè)置有P型凸臺(tái)，該P(yáng)型凸臺(tái)與陽(yáng)極區(qū)P連通成一體，所述P型凸臺(tái)位于電壓槽的下方，電壓槽的底部部分位于長(zhǎng)基區(qū)N上，部分位于P型凸臺(tái)上。本實(shí)用新型通過(guò)P型隔離層和P+阻擋層能夠有效降低器件工作時(shí)的功耗，提高產(chǎn)品合格率，可廣泛應(yīng)用于二極管芯片領(lǐng)域。 |
