一種增強(qiáng)密集圖形光刻分辨率的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010638023.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111856888A 公開（公告）日 2020-10-30
申請公布號 CN111856888A 申請公布日 2020-10-30
分類號 G03F7/20(2006.01)I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 許箭;秦龍;耿文練;花雷 申請（專利權(quán)）人 儒芯微電子材料（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海劍秋知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 儒芯微電子材料（上海）有限公司
地址 201206上海市浦東新區(qū)川橋路1295號2幢305室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種增強(qiáng)密集圖形光刻分辨率的方法，包括執(zhí)行膠圖案化工藝，從而形成第一掩模圖案；執(zhí)行膠層處理工藝；再次執(zhí)行膠圖案化工藝，從而形成第二掩模圖案，第二掩模圖案中的圖形與第一掩模圖案中的圖形間隔設(shè)置；其中，膠圖案化工藝包括：在襯底上依次形成第一膠層和第二膠層；通過光刻曝光工藝在第一膠層上形成曝光區(qū)和非曝光區(qū)；采用第一溶劑去除曝光區(qū)和第二膠層的部分區(qū)域，或者先采用第二溶劑去除曝光區(qū)，再采用第三溶劑去除第二膠層的部分區(qū)域，從而在第一膠層形成第一圖案，在第二膠層形成第二圖案，第二圖案是在第一圖案基礎(chǔ)上縮進(jìn)后的圖案；采用第四溶劑去除非曝光區(qū)；膠層處理工藝用于使第一膠層耐第一溶劑或第三溶劑溶解。??