晶圓級(jí)系統(tǒng)封裝方法以及封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811028265.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110875281B 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN110875281B 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L23/552（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅海龍;克里夫·德勞利 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯集成電路（寧波）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海知錦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 高靜;李麗
地址 315800浙江省寧波市北侖區(qū)小港街道安居路335號(hào)3幢、4幢、5幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種晶圓級(jí)系統(tǒng)封裝方法和封裝結(jié)構(gòu)，所述晶圓級(jí)系統(tǒng)封裝方法包括：形成鍵合結(jié)構(gòu)，所述鍵合結(jié)構(gòu)包括：器件晶圓以及鍵合于所述器件晶圓的多個(gè)芯片，所述多個(gè)芯片中待屏蔽的芯片為第一芯片，所述第一芯片的數(shù)量為一個(gè)或多個(gè)；形成覆蓋所述多個(gè)芯片的封裝層；在所述封裝層中形成圍繞各個(gè)所述第一芯片的溝槽；在所述溝槽中和第一芯片上方封裝層表面形成導(dǎo)電材料；位于所述溝槽中的導(dǎo)電材料為導(dǎo)電側(cè)壁，位于所述第一芯片上方封裝層表面的導(dǎo)電材料為導(dǎo)電層，用于與所述導(dǎo)電側(cè)壁相連構(gòu)成屏蔽殼體。本發(fā)明晶圓級(jí)系統(tǒng)封裝方法以及封裝結(jié)構(gòu)，能減小所形成封裝結(jié)構(gòu)的體積和厚度。