晶圓級系統(tǒng)封裝方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201811608042.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN111370335B | 公開(公告)日 | 2022-03-15 |
| 申請公布號 | CN111370335B | 申請公布日 | 2022-03-15 |
| 分類號 | H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 秦曉珊 | 申請(專利權)人 | 中芯集成電路(寧波)有限公司 |
| 代理機構 | 上海知錦知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) | 代理人 | 高靜;李麗 |
| 地址 | 315800浙江省寧波市北侖區(qū)小港街道安居路335號3幢、4幢、5幢 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供一種晶圓級系統(tǒng)封裝方法,包括:形成鍵合結構,鍵合結構包括:器件晶圓以及鍵合于器件晶圓的多個芯片,多個芯片中待屏蔽的芯片為第一芯片,第一芯片的數(shù)量為一個或多個;相鄰芯片與器件晶圓之間圍成塑封區(qū);進行選擇性噴涂處理,向塑封區(qū)噴灑塑封料,且對塑封料進行固化處理,形成覆蓋所述器件晶圓和所述芯片側(cè)壁的塑封層;在塑封層中形成圍繞各個第一芯片的溝槽;在溝槽中和第一芯片上方形成導電材料;位于溝槽中的導電材料為導電側(cè)壁,位于第一芯片上方的導電材料為導電層,用于與導電側(cè)壁相連構成屏蔽殼體。本發(fā)明提高了封裝成品率。 |





