半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810415649.8 申請日 -
公開（公告）號 CN108598260B 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN108598260B 申請公布日 2022-03-15
分類號 H01L49/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅海龍;邢超;劉孟彬 申請（專利權(quán)）人 中芯集成電路（寧波）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海知錦知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 高靜;李麗
地址 315801浙江省寧波市北侖區(qū)小港街道安居路335號3幢、4幢、5幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，方法包括：提供襯底，襯底上形成有第一介質(zhì)層，且第一介質(zhì)層上形成有多個分立的第一多晶硅層；采用濕法刻蝕工藝對第一多晶硅層進(jìn)行第一清洗處理，去除自然氧化層和聚合物副產(chǎn)物；在第一介質(zhì)層和第一多晶硅層表面形成第二介質(zhì)層；在第二介質(zhì)層側(cè)壁形成補(bǔ)償側(cè)壁；形成覆蓋第二介質(zhì)層和補(bǔ)償側(cè)壁的多晶硅膜；刻蝕多晶硅膜，保留位于第一多晶硅層頂部的第二介質(zhì)層和補(bǔ)償側(cè)壁上的多晶硅膜作為第二多晶硅層。當(dāng)?shù)诙橘|(zhì)層在第一多晶硅層和第一介質(zhì)層的拐角位置處形成有凹槽時，補(bǔ)償側(cè)壁能填充凹槽，避免刻蝕多晶硅膜后在凹槽中形成多晶硅殘留，從而避免相鄰第二多晶硅層因多晶硅殘留而出現(xiàn)橋接。