晶圓級封裝方法以及封裝結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811028259.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110875204B 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN110875204B 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L21/56（2006.01）I;H01L23/552（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅海龍;克里夫·德勞利 申請（專利權）人 中芯集成電路（寧波）有限公司
代理機構 上海知錦知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 高靜;李麗
地址 315800浙江省寧波市北侖區(qū)小港街道安居路335號3幢、4幢、5幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種晶圓級封裝方法和封裝結構，所述封裝方法包括：形成鍵合結構，所述鍵合結構包括：器件晶圓以及鍵合于所述器件晶圓的多個第一芯片；在所述多個第一芯片以及第一芯片露出的所述器件晶圓上保形覆蓋絕緣層；在所述絕緣層上保形覆蓋屏蔽層；在所述屏蔽層上形成封裝層。所述晶圓級封裝結構，包括：器件晶圓；多個第一芯片，鍵合于所述器件晶圓；絕緣層，保形覆蓋在所述多個第一芯片以及第一芯片露出的所述器件晶圓上；屏蔽層，保形覆蓋于所述絕緣層；封裝層，位于所述屏蔽層上。本發(fā)明減小所形成封裝結構的體積和厚度。