晶圓級(jí)封裝方法及晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911416996.3 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN111162012B 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號(hào) CN111162012B 申請公布日 2022-03-22
分類號(hào) H01L21/50（2006.01）I;H01L23/04（2006.01）I;H01L23/10（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何旭;劉堯;施林波 申請（專利權(quán)）人 中芯集成電路（寧波）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京思創(chuàng)大成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張立君
地址 315803浙江省寧波市北侖區(qū)小港街道安居路335號(hào)3幢、4幢、5幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了的一種晶圓級(jí)封裝方法及晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，方法包括：提供器件晶圓，器件晶圓具有器件區(qū)，器件區(qū)包括有效功能區(qū)和包圍有效功能區(qū)的外圍區(qū)；在器件晶圓的外圍區(qū)形成支撐層；提供蓋帽晶圓，蓋帽晶圓具有有效區(qū)和無效區(qū)；對(duì)蓋帽晶圓進(jìn)行第一處理，在有效區(qū)形成蓋帽層，使得有效區(qū)的表面高于無效區(qū)表面；將器件晶圓與蓋帽晶圓鍵合，使得有效區(qū)與器件區(qū)相對(duì)，使得支撐層和蓋帽層在有效功能區(qū)上形成空腔。能夠有效保證蓋帽層的強(qiáng)度并改善空腔結(jié)構(gòu)，以及改善封裝工藝過程中的晶圓翹曲問題，并降低成本。