一種氧化鎵基紫外發(fā)光二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201922329880.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN213071163U 公開(kāi)（公告）日 2021-04-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN213071163U 申請(qǐng)公布日 2021-04-27
分類號(hào) H01L33/14;H01L33/02;H01L33/04;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫智江;王書(shū)昶;馮源;穆久濤;張哲 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 海威半導(dǎo)體（南通）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京一格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 徐文;萬(wàn)小俠
地址 226500 江蘇省南通市如皋市城南街道海陽(yáng)南路南延1號(hào)1號(hào)樓4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種氧化鎵基紫外發(fā)光二極管，包括由下至上依次設(shè)置的藍(lán)寶石襯底、AlN成核層、Ga2O3緩沖層、n型Ga2O3層、Ga2O3/GaN量子阱有源區(qū)、p型AlN/Ga2O3超晶格結(jié)構(gòu)電子阻擋層、p型Ga2O3層和氧化銦錫透明導(dǎo)電層，在氧化銦錫透明導(dǎo)電層上引出p型歐姆電極，在n型Ga2O3層上引出n型歐姆電極。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：由于p型AlN/Ga2O3超晶格結(jié)構(gòu)具有高吸收系數(shù)、高橫向載流子遷移率，對(duì)載流子具有強(qiáng)的量子限制效應(yīng)，作為電子阻擋層能夠有效抑制電子溢出有源區(qū)；另外，采用p型Ga2O3層，能夠極大地增加p型區(qū)的空穴濃度，降低空穴激活能，提高空穴注入效率，從而提高載流子在有源區(qū)的復(fù)合效率。