硅片單側(cè)膜淀積的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011609514.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112802734A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112802734A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-14 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/02;H01L21/683;C23C16/04;C23C16/40;C23C16/455 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 方小磊;劉佳晶;于樂(lè);陳濤;王宣歡;陳艷明 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 長(zhǎng)春長(zhǎng)光圓辰微電子技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 長(zhǎng)春中科長(zhǎng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 高一明;郭婷 |
| 地址 | 130000 吉林省長(zhǎng)春市經(jīng)開(kāi)區(qū)營(yíng)口路18號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種硅片單側(cè)膜淀積的方法，提出硅片單側(cè)膜淀積的方法，該方法為通過(guò)利用原子層沉積（ALD）設(shè)備在低溫下實(shí)現(xiàn)硅片單側(cè)薄膜淀積，即選擇合適的背膜，并將此背膜通過(guò)一定的技術(shù)手段粘附在硅片的背面以防止硅片背面淀積薄膜，在淀積工藝完成后將背膜剝離即可。一般情況下，背膜可以在200℃?300℃保持12小時(shí)而不熔化、收縮或變形。通過(guò)背膜的運(yùn)用，實(shí)現(xiàn)了低溫下（200℃?300℃）硅片單側(cè)膜沉積的目的，為后續(xù)工藝提供了方便條件。此種方法可應(yīng)用于氧化鋁，氧化鉿等薄膜的制備，并且具有簡(jiǎn)便、易操作、成本低等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)，制備的薄膜厚度線性可調(diào)（15A?1000A），均勻性好（均勻性小于0.5％）。 |
