一種提高硅片鍵合力的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011615431.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112670170A 公開（公告）日 2021-04-16
申請公布號 CN112670170A 申請公布日 2021-04-16
分類號 H01L21/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉佳晶;丁正建;王宣歡;于樂;張凱;方小磊 申請（專利權(quán)）人 長春長光圓辰微電子技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 長春中科長光知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 高一明;郭婷
地址 130000 吉林省長春市經(jīng)開區(qū)營口路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種提高硅片鍵合力的方法，其特征在于，通過等離子化學氣相沉積，在其中一片硅片上生長二氧化硅薄膜；將兩片硅片在常溫常壓下進行鍵合并退火。解決了兩片硅片在常溫常壓下鍵合強度小的問題，并且改善了硅片本身的使用局限性，拓展了可用的硅片范圍，提高了鍵合硅片的鍵合強度，保證了產(chǎn)品的成品率和質(zhì)量。