硅腐蝕液激活方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011616697.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112802744A 公開（公告）日 2021-05-14
申請公布號 CN112802744A 申請公布日 2021-05-14
分類號 H01L21/306;H01L21/66;G01N17/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 方小磊;王冠智;葉武陽;陳艷明;呂磊;陶繼闖 申請（專利權）人 長春長光圓辰微電子技術有限公司
代理機構 長春中科長光知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 高一明;郭婷
地址 130000 吉林省長春市經(jīng)開區(qū)營口路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅腐蝕液激活方法，通過將設備初始化后，更換硅腐蝕液、然后將3至5片高摻雜硅片傳送至設備的工藝腔內，選好對應的操作程序后，使硅腐蝕液和高摻雜硅片反應，反應后的硅腐蝕液自動返回至容器內，測試硅腐蝕液的腐蝕速率與選擇比。采用通常的激活方式得到的硅腐蝕液的腐蝕速率（高摻雜硅）一般為5?5.5um/min，選擇比不高于80。本發(fā)明提出的硅腐蝕液激活方法可以將腐蝕速率（高摻雜硅）提高至6.5?7um/min，選擇比在100以上。此外，本發(fā)明提出的方法中所使用的激活用硅片可以無限制重復利用，直至厚度過薄無法機械傳片。一般來說，激活硅片可以重復利用8?12次，大大降低了成本。