一種原位刻蝕制備MXene二維納米片的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111395849.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113896199A 公開（公告）日 2022-01-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113896199A 申請(qǐng)公布日 2022-01-07
分類號(hào) C01B32/921（2017.01）I;C01B32/90（2017.01）I;C01B32/914（2017.01）I;C01B21/076（2006.01）I;C01B21/06（2006.01）I;C01B21/00（2006.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 曲婕;蘇忠;賴超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 徐州納烯新材料研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安杜諾匠心專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 蘇雪雪
地址 221010江蘇省徐州市云龍區(qū)解放路246號(hào)文峰大廈1號(hào)樓1-604-3
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種原位刻蝕制備MXene二維納米片的方法，其中方法包括：將MAX相材料分散到溶劑中，隨后加入刻蝕劑和引發(fā)劑，按預(yù)設(shè)溫度和時(shí)間進(jìn)行攪拌反應(yīng)，攪拌反應(yīng)中由引發(fā)劑誘導(dǎo)刻蝕劑水解生成HF，并由MAX相材料與生成的HF反應(yīng)將HF消耗掉，同時(shí)由HF促使刻蝕劑繼續(xù)水解；攪拌反應(yīng)完成后，通過離心洗滌除去殘余的氟化物；離心洗滌完成后，加水振蕩，冷凍干燥后即可得到MXene二維納米片。本發(fā)明采用的原位刻蝕方法，避免了強(qiáng)酸的使用，安全性高，有利于環(huán)境保護(hù)；使用原料來(lái)源廣泛、易獲得、成本低，反應(yīng)條件溫和、操作簡(jiǎn)單、產(chǎn)率接近100%；且本發(fā)明制備得到的MXene二維納米片擁有優(yōu)異的導(dǎo)電性和親水性，在電化學(xué)儲(chǔ)能、污水處理、吸附以及催化等領(lǐng)域具有較好的應(yīng)用前景。