高散熱硅基封裝基板、制作方法及高散熱封裝結(jié)構(gòu)
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910079369.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN109686707A | 公開(kāi)(公告)日 | 2019-04-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109686707A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-04-26 |
| 分類號(hào) | H01L23/367(2006.01)I; H01L23/48(2006.01)I; H01L21/768(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 孫海燕; 葛明敏; 趙繼聰; 黃靜; 孫玲; 方家恩; 彭一弘 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 蘇州銳杰微科技集團(tuán)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 江蘇隆億德律師事務(wù)所 | 代理人 | 南通大學(xué); 成都銳杰微科技有限公司 |
| 地址 | 226019 江蘇省南通市崇川區(qū)嗇園路9號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供一種高散熱硅基封裝基板,包括硅襯底,硅襯底縱向設(shè)置多個(gè)垂直通孔,垂直通孔貫穿硅襯底的上、下表面,垂直通孔內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電導(dǎo)熱柱,導(dǎo)電導(dǎo)熱柱兩端裸露于硅襯底的上下表面,導(dǎo)電導(dǎo)熱柱外側(cè)壁設(shè)置電學(xué)隔離層,垂直通孔的直徑范圍為50~200μm。本發(fā)明提供的高散熱硅基封裝基板,具備散熱模塊集成度高,體積小巧,成本低,有利于封裝結(jié)構(gòu)的應(yīng)用,此外,本發(fā)明還提供了其制作方法及基于其的封裝結(jié)構(gòu)。 |





