化學(xué)機(jī)械研磨的控制方法、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110526806.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113246012A 公開（公告）日 2021-08-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN113246012A 申請(qǐng)公布日 2021-08-13
分類號(hào) B24B37/00;B24B37/005;B24B37/11 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 胡宗福;龔昌鴻;韋家蓓;陳建勛;張瑜 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海華力集成電路制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 黎偉
地址 201203 上海市浦東新區(qū)良騰路6號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種化學(xué)機(jī)械研磨的控制方法、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：根據(jù)第一前值、第一后值和第一研磨速率，計(jì)算得到第一研磨時(shí)間；根據(jù)第一研磨時(shí)間，控制第一類型的研磨盤對(duì)所述目標(biāo)晶圓進(jìn)行研磨；根據(jù)第二前值、第二后值和第二研磨速率，計(jì)算得到第二研磨時(shí)間，第二類型的研磨盤和第一類型的研磨盤的硬度不同；根據(jù)第二研磨時(shí)間，控制第二類型的研磨盤對(duì)目標(biāo)晶圓進(jìn)行研磨。本申請(qǐng)通過計(jì)算得到第一類型的研磨盤的第一研磨時(shí)間和第二類型的研磨盤的第二研磨時(shí)間，從而根據(jù)第一研磨時(shí)間和第二研磨時(shí)間對(duì)目標(biāo)晶圓進(jìn)行研磨，由于第一時(shí)間和第二時(shí)間是基于上次研磨過程中的厚度差計(jì)算得到的，從而能夠準(zhǔn)確地控制研磨厚度，提高了產(chǎn)品的良率。