柵極電介質(zhì)層制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110438906.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113299548A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN113299548A 申請(qǐng)公布日 2021-08-24
分類(lèi)號(hào) H01L21/28（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜蘭 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海華力集成電路制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭立
地址 201315上海市浦東新區(qū)康橋東路298號(hào)1幢1060室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種柵極電介質(zhì)層制備方法，包括：S1，提供一硅襯底，在硅襯底表面形成界面層；S2，沉積一層高介電常數(shù)介質(zhì)層；S3，進(jìn)行后沉積退火；S4，沉積一層TiN保護(hù)層；S5，沉積一層非晶硅蓋帽層；S6，采用等離子氧化法對(duì)蓋帽層表面進(jìn)行處理；S7，進(jìn)行后蓋帽層退火；S8，去除蓋帽層。本發(fā)明可以避免非晶硅發(fā)生團(tuán)聚，以及在多晶硅去除工藝中導(dǎo)致蓋帽層殘留，同時(shí)縮短制備時(shí)間。