用於決定非揮發(fā)性記憶體中位元值的方法與系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> TW107107412 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) TW201939508A 公開（公告）日 2019-10-01
申請(qǐng)公布號(hào) TW201939508A 申請(qǐng)公布日 2019-10-01
分類號(hào) G11C16/22;G11C29/50 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 彭祥恩;袁笙維;李厚鋆 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳衡宇芯片科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 李永鈞 代理人 深圳衡宇芯片科技有限公司
地址 臺(tái)北市中國廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技園南區(qū)高新南一路賦安科技大廈B座1005
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭露一種用於決定具有數(shù)個(gè)記憶單元的一非揮發(fā)性記憶體位元值的方法與系統(tǒng)，其中每一記憶單元用於儲(chǔ)存一位元值該方法包含步驟：a）提供一第一測(cè)試感測(cè)電壓至該些記憶單元并計(jì)算單元計(jì)數(shù)；b）提供另一測(cè)試感測(cè)電壓至該些記憶單元并計(jì)算本步驟與前步驟間單元計(jì)數(shù)的一差異量；c）提供再另一測(cè)試感測(cè)電壓并計(jì)算本步驟與前步驟間單元計(jì)數(shù)的另一差異量；d）執(zhí)行步驟c）N次；e）計(jì)算單元計(jì)數(shù)差額并指定索引數(shù)給每一群記憶單元；f）選擇一電壓為更新感測(cè)電壓