檢測(cè)固態(tài)存儲(chǔ)裝置存儲(chǔ)狀態(tài)的方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810846776.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN110739023B | 公開(公告)日 | 2021-07-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110739023B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-02 |
| 分類號(hào) | G11C29/12;G11C29/50 | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
| 發(fā)明人 | 彭祥恩;吳昇翰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 深圳衡宇芯片科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 孫皓晨 |
| 地址 | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)學(xué)府路263號(hào)大新時(shí)代大廈A座1106 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供一種檢測(cè)固態(tài)存儲(chǔ)裝置存儲(chǔ)狀態(tài)的方法。所述方法包含以下步驟:施加多個(gè)感測(cè)電壓至各個(gè)記憶單元;比對(duì)各個(gè)記憶單元的臨界電壓與多個(gè)感測(cè)電壓,并據(jù)以定義存儲(chǔ)狀態(tài),多個(gè)存儲(chǔ)狀態(tài)依記憶單元落在強(qiáng)正確區(qū)、弱正確區(qū)、強(qiáng)錯(cuò)誤區(qū)或弱錯(cuò)誤區(qū)來(lái)分類;計(jì)算在每一存儲(chǔ)狀態(tài)的記憶單元數(shù)量;計(jì)算強(qiáng)正確區(qū)的多個(gè)記憶單元數(shù)量,占強(qiáng)正確區(qū)與弱正確區(qū)總和的多個(gè)記憶單元數(shù)量的強(qiáng)正確比例;計(jì)算強(qiáng)錯(cuò)誤區(qū)的多個(gè)記憶單元數(shù)量,占強(qiáng)錯(cuò)誤區(qū)與弱錯(cuò)誤區(qū)總和的多個(gè)記憶單元數(shù)量的強(qiáng)錯(cuò)誤比例;以及基于強(qiáng)正確比例及強(qiáng)錯(cuò)誤比例,產(chǎn)生對(duì)數(shù)概度比。 |





