用于決定非揮發(fā)性內(nèi)存中位值的方法和系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810238819.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110232947B 公開（公告）日 2021-05-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN110232947B 申請(qǐng)公布日 2021-05-18
分類號(hào) G11C29/42;G11C29/34 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 彭祥恩;袁笙維;李厚鋆 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳衡宇芯片科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 司佩杰
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技園南區(qū)高新南一路賦安科技大廈B座1005
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭露一種用于決定具有數(shù)個(gè)記憶單元的非揮發(fā)性內(nèi)存中位值的方法與系統(tǒng)，其中每一個(gè)記憶單元用于儲(chǔ)存一個(gè)位值。所述方法包含步驟：提供首次測(cè)試傳感電壓至所述些記憶單元并計(jì)算單元計(jì)數(shù)；提供另一個(gè)個(gè)測(cè)試傳感電壓至所述些記憶單元并計(jì)算本步驟與前步驟間單元計(jì)數(shù)的差異量；提供又一個(gè)個(gè)測(cè)試傳感電壓并計(jì)算本步驟與前步驟間單元計(jì)數(shù)的另一個(gè)個(gè)差異量；執(zhí)行步驟N次；計(jì)算單元計(jì)數(shù)差額并指定索引數(shù)給每一群記憶單元；選擇一個(gè)電壓為更新傳感電壓。