訓(xùn)練人工智能估測存儲裝置的感測電壓的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811173880.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110970080A 公開（公告）日 2020-04-07
申請公布號 CN110970080A 申請公布日 2020-04-07
分類號 G11C29/42;G11C29/12;G11C29/50 分類 信息存儲;
發(fā)明人 彭祥恩;吳昇翰 申請（專利權(quán)）人 深圳衡宇芯片科技有限公司
代理機構(gòu) 北京律和信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 深圳衡宇芯片科技有限公司
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)學(xué)府路263號大新時代大廈A座1106
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種訓(xùn)練人工智能估測存儲裝置的感測電壓的方法，包含以下步驟：(a)施加多個初始感測電壓至記憶單元；(b)定義多種存儲狀態(tài)；(c)比對記憶單元的臨界電壓與初始感測電壓并據(jù)以分類記憶單元；(d)計算在強正確區(qū)的記憶單元數(shù)量占在強正確區(qū)與弱正確區(qū)的記憶單元數(shù)量的比例；(e)計算在強錯誤區(qū)的記憶單元數(shù)量占在強錯誤區(qū)與弱錯誤區(qū)的記憶單元數(shù)量的比例；(f)計算在弱正確區(qū)與弱錯誤區(qū)的記憶單元的數(shù)量以取得直方圖參數(shù)；(g)輸入該些比例以及參數(shù)至人工智能類神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)；以及(h)使用機器學(xué)習(xí)分析出多個實用感測電壓。