一種改善硅片酸腐蝕平坦度的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111387781.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114093760A 公開（公告）日 2022-02-25
申請公布號 CN114093760A 申請公布日 2022-02-25
分類號 H01L21/306（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 卞梁;潘連勝;楊昱 申請（專利權）人 錦州神工半導體股份有限公司
代理機構 北京易捷勝知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 薛曉萌;齊云
地址 121000遼寧省錦州市太和區(qū)中信路46號甲
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種改善硅片酸腐蝕平坦度的方法，其包括：S1、將硅片放入盛槽的滾筒中，盛槽內裝有腐蝕液。按質量分數計，腐蝕液中含5?6％的氫氟酸、50?55％的硝酸、8?10％的醋酸、兩性離子型表面活性劑0.3％?1.5％。腐蝕過程中，滾筒浸沒在腐蝕液中且能夠在盛槽內轉動；硅片以站立式放置在滾筒內，利用滾筒的轉動使硅片在腐蝕液中轉動；滾筒同時還周期性地上下往復移動，使硅片相對盛槽內的腐蝕液進行向上的拋動動作，使硅片的邊緣周期性的暴露在腐蝕液外；S2、使用QDR法對硅片清洗；S3、使用超純水溢流沖洗硅片；S4、使用甩干方法對硅片表面脫水、干燥。本發(fā)明通過改進腐蝕液的組成并結合特定的清洗動作，改善腐蝕后硅片表面的平坦度，克服塌邊情況。