一種可組合可控Am-Be中子源裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011154145.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112420235A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112420235A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-26 |
| 分類號(hào) | G21G4/02(2006.01)I | 分類 | 核物理；核工程; |
| 發(fā)明人 | 孫愛(ài)赟;黑大千;胡強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京即衡科技發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京鐘山專利代理有限公司 | 代理人 | 戴朝榮 |
| 地址 | 211800江蘇省南京市江北新區(qū)研創(chuàng)園團(tuán)結(jié)路99號(hào)孵鷹大廈941室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種可組合可控Am?Be中子源裝置，包括中子發(fā)射系統(tǒng)和真空系統(tǒng)，中子發(fā)射系統(tǒng)包括基本單元套筒和若干組镅鈹中子發(fā)射基本單元，镅鈹中子發(fā)射基本單元包括金屬套筒，金屬套筒內(nèi)部頂端設(shè)置有鈹層底座和鈹片，金屬套筒內(nèi)底部設(shè)置有AmO2鍍層底座和AmO2鍍層，真空系統(tǒng)與各個(gè)金屬套筒連通，可通過(guò)真空系統(tǒng)控制金屬套筒內(nèi)的真空度；鈹片與AmO2鍍層之間的距離不小于34mm。本發(fā)明通過(guò)控制(α,n)核反應(yīng)中所需的兩種核素間的真空度來(lái)實(shí)現(xiàn)中子的產(chǎn)生和消失，達(dá)到可控的目的，通過(guò)控制中子發(fā)射基本單元的數(shù)量來(lái)實(shí)現(xiàn)控制中子的產(chǎn)額，可提高裝置的安全性；本發(fā)明镅鈹中子發(fā)射基本單元體積小，自由組合使用的形式可以更為豐富，能更好的適應(yīng)不同應(yīng)用場(chǎng)地的需求。?? |
