硅片背面減薄鍍膜工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111245894.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113964022A 公開（公告）日 2022-01-21
申請公布號 CN113964022A 申請公布日 2022-01-21
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王剛;葉煒昊 申請（專利權）人 浙江美迪凱光學半導體有限公司
代理機構 杭州華知專利事務所（普通合伙） 代理人 張德寶
地址 314400浙江省嘉興市海寧市長安鎮(zhèn)（高新區(qū)）新潮路15號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅片背面減薄鍍膜工藝，其包括貼膜、減薄、超聲波清洗、撕膜、綁定、鍍膜。該硅片背面減薄鍍膜工藝去除酸洗步驟，將酸洗改換成純水超聲波清洗，去除了酸洗后廢液會對環(huán)境的污染，同時節(jié)約成本；鍍膜前將硅片與相配的綁定基板后鍍膜，消除減少酸洗步驟后增加的破片率，提升完成加工產(chǎn)品的合格率。