生長高溫氧化物晶體的裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN99124262.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN1084398C | 公開（公告）日 | 2002-05-08 |
| 申請公布號 | CN1084398C | 申請公布日 | 2002-05-08 |
| 分類號 | C30B15/00;C30B15/14;C30B29/30 | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 徐軍;陳杏達(dá);陳偉;鐘鶴裕 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海中科嘉浦光電子材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人 | 李蘭英 |
| 地址 | 201800上海市嘉定區(qū)葉城路1411號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種生長高溫氧化物晶體的裝置，主要適用提拉法生長像釩酸釔(YVO4)和摻釹釩酸釔(Nd：YVO4)的高溫氧化物晶體。它包括置于爐罩中心位置上盛放熔體的熔體坩堝，由熔體坩堝至爐罩之間，依次有間隙層，呈坩堝或圓筒狀的載熱體，隔熱層和感應(yīng)加熱線圈。感應(yīng)加熱線圈，通過隔熱層，感應(yīng)載熱體，載熱體將熱量輻射給熔體坩堝，使熔體坩堝內(nèi)的熔體溫度緩慢而均勻地升高，形成熱場溫度梯度小，從而生長出大尺寸優(yōu)質(zhì)的晶體。$#! |
