基于超結(jié)槽柵的高壓器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410029825.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103779411B 公開（公告）日 2017-01-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN103779411B 申請(qǐng)公布日 2017-01-25
分類號(hào) H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮倩;杜鍇;馬曉華;鄭雪峰;代波;郝躍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 陜西西安電子科大資產(chǎn)經(jīng)營(yíng)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京世譽(yù)鑫誠(chéng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 西安電子科技大學(xué);陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于超結(jié)槽柵的高壓器件及其制作方法，依次包括襯底、GaN緩沖層、GaN溝道層、AlN隔離層、本征AlGaN層和AlGaN勢(shì)壘層，所述AlGaN勢(shì)壘層上間隔設(shè)有源極、柵極和漏極，源極和柵極之間設(shè)有線性AlGaN層，柵極和漏極之間的部分區(qū)域設(shè)有線性AlGaN層，后者的線性AlGaN層上設(shè)有p?GaN層，p?GaN層上設(shè)有基極，所述柵極位于線性AlGaN層上方的部分還向源極方向形成有柵源場(chǎng)板；上述結(jié)構(gòu)的頂層還間隔淀積有鈍化層，鈍化層的間隔內(nèi)淀積有加厚電極。本發(fā)明兼顧了器件擊穿電壓的提高與導(dǎo)通電阻的減小，同時(shí)采用槽柵結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)了柵極對(duì)溝道2DEG的調(diào)控作用，提高了器件的頻率性能。