絕緣柵型直角復(fù)合源場(chǎng)板功率晶體管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410660513.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104393030B 公開（公告）日 2017-04-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN104393030B 申請(qǐng)公布日 2017-04-19
分類號(hào) H01L29/40(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 毛維;范舉勝;楊翠;張昊;趙雁鵬;馬曉華;郝躍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 陜西西安電子科大資產(chǎn)經(jīng)營(yíng)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 陜西電子工業(yè)專利中心 代理人 西安電子科技大學(xué);陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種絕緣柵型直角復(fù)合源場(chǎng)板功率晶體管，主要解決現(xiàn)有場(chǎng)板技術(shù)在實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓時(shí)工藝復(fù)雜的問題。其包括：襯底(1)、過(guò)渡層(2)、勢(shì)壘層(3)、源極(4)、漏極(5)、臺(tái)面(6)、絕緣介質(zhì)層(7)、絕緣柵極(8)、鈍化層(9)和保護(hù)層(13)，鈍化層(9)內(nèi)刻有凹槽(10)，凹槽(10)內(nèi)完全填充有高介電常數(shù)介質(zhì)(11)，鈍化層(9)與保護(hù)層(13)之間淀積有一字形源場(chǎng)板(12)，一字形源場(chǎng)板靠近絕緣柵極一側(cè)邊緣與凹槽靠近絕緣柵極一側(cè)邊緣對(duì)齊，并將一字形源場(chǎng)板與源極電氣連接；一字形源場(chǎng)板與高介電常數(shù)介質(zhì)構(gòu)成直角復(fù)合源場(chǎng)板。本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單、擊穿電壓高、可靠性高和成品率高的優(yōu)點(diǎn)。