一種強(qiáng)磁場(chǎng)高梯度超導(dǎo)磁體裝置
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410191068.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN105097179A | 公開(kāi)(公告)日 | 2015-11-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN105097179A | 申請(qǐng)公布日 | 2015-11-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01F6/00(2006.01)I;H01F6/04(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 姚衛(wèi)超;朱自安;張國(guó)慶;汪小明;趙京偉;常哲;吳澤;楊應(yīng)彬 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 廣州良源貿(mào)易發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 闞梓瑄 |
| 地址 | 100049 北京市石景山區(qū)玉泉路19號(hào)乙院 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種強(qiáng)磁場(chǎng)高梯度超導(dǎo)磁體裝置,包括金屬外殼和電磁結(jié)構(gòu),所述金屬外殼內(nèi)部圍設(shè)有容置空間,在所述容置空間的中部設(shè)置有通道,所述通道包括入口和出口;所述電磁結(jié)構(gòu)封閉設(shè)置在所述容置空間內(nèi)并處于低溫超導(dǎo)環(huán)境中,所述通道穿過(guò)所述電磁結(jié)構(gòu)的中心,所述電磁結(jié)構(gòu)為超導(dǎo)電磁結(jié)構(gòu),且提供沿所述通道軸向上依次排布的第一磁場(chǎng)和第二磁場(chǎng),所述第一磁場(chǎng)和所述第二磁場(chǎng)磁力方向相反。本發(fā)明的電磁結(jié)構(gòu)能夠同時(shí)提供磁力方向相反的兩磁場(chǎng),在保證強(qiáng)磁場(chǎng)的同時(shí)由于兩相反方向磁場(chǎng)的相互抵消還能夠提供非常高的磁場(chǎng)梯度。 |





