半導體器件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110739263.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113451343A 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN113451343A 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01L27/146（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 薛廣杰 申請（專利權）人 武漢新芯集成電路制造有限公司
代理機構 上海思微知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 田婷
地址 430205湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)高新四路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供的背照式圖像傳感器的制備方法中，由于先對襯底進行了P型離子注入以形成P型摻雜層，之后刻蝕P型摻雜層形成開槽，并使開槽的寬度大于被開槽分割后形成的P型結構的寬度。如此一來，則降低了后續(xù)生長在開槽內的外延結構的深寬比，進而在對外延結構進行N型離子注入時，能夠提升注入效果，以提升最終制備而成的背照式圖像傳感器的性能。