半導(dǎo)體器件及其制作方法、芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110736489.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113471158A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN113471158A 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L23/48（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱奎;薛廣杰 申請（專利權(quán)）人 武漢新芯集成電路制造有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 田婷
地址 430205湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)高新四路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、芯片，包括：提供第一晶圓，在部分所述第一襯底的表面形成金屬硅化物層；形成硅通孔和開孔，開孔貫穿金屬硅化物層和部分厚度的第一介質(zhì)層并暴露出第一金屬層；形成焊盤，焊盤形成在硅通孔中并與第一金屬層電連接。本發(fā)明采用金屬硅化物層作為硅通孔的刻蝕停止層，金屬硅化物層與第一襯底具有更高的刻蝕選擇比，可以增強形成硅通孔工藝中第一襯底的刻蝕量，以避免第一襯底刻蝕不完全導(dǎo)致最終焊盤與第一金屬層接觸不良甚至斷路；本發(fā)明開孔工藝只涉及金屬硅化物層和第一介質(zhì)層,相比于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，金屬硅化物層的厚度具有更好的均勻性，從而工藝更好控制，有效避免第一金屬層損傷。